SD Karte defragmentieren?

Zitat

Original von sire
defragmentieren ist ein klarer Schreibzugriff und was das bedeutet ist ja wohl allen klar.

Falls nicht...
Schreiben (Löschen+neu programmieren) beim Flash bedeutet Streß für die geschriebene Zelle. Die meisten Hersteller geben heute Werte zwischen 100.000 bis max. 1.000.000 mal Schreiben pro Zelle an, bevor die erste Zelle das zeitliche segnet. Defragmentieren (wenn viele Daten auf der Karte sind) bedeutet leider nicht, das nur jede Zelle einmal geschrieben wird, sondern unzählige Male (eventuell ist ein Wert von 1000? für einige Zellen im Inhaltsverzeichnis-FAT realistisch). Das würde bedeuten, 100 bis 1000 Mal defragmentieren=Karte kaputt. die Herren von Microsoft sind wohl der Meinung, das FLASH / oder auch HDD - Geschät ankurbeln zu müssen.

Etwas anders ist es bei leeren Karten - Dort macht defragmentieren auf den ersten Blick zwar keinen Sinn, aber immerhin wird die FAT runderneuert. Das braucht auch keine 1000 Mal oder so schreiben, sondern nur einmal - folglich wenig Stress.
Übrigens - Wenn ich formatiere, wird die FAT auch runderneuert und damit bedeutet das auch Streß (mindestens1 Mal schreiben), aber mit dem Risiko, das das physikalisch Format geändert wird, und danach andere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten zu beobachten sind.
Das kann man natürlich auch als Chance sehen - die Karte kann ja auch schneller werden (so passiert bei einem Bekannten mit Toshi SD512).

Hi,
wieso soll eigentlich ein Flash speicher "nur" eine begrenzte Anzahl von Schreibzugriffen aushalten...
(Ich weiß Herstellerangaben....) und unser SD bzw DDR Ram so viel wir wollen???

Ich habe hier noch eine alte 128MB SD-Karte rumliegen,
mit der habe ich schon alles gemacht auch zig mal
defragmentiert.
Die klappt noch so wie am 1. Tag

Carnica

EDIT:
Hier noch ein paar interesante Links für euch ;D

Hier gibts ein Tool für den PPC u.a. zum defragmentieren
http://www.omegaone.com/PocketPC/PM.html

Hier gibts eine Anleitung für mauelles defragmentieren:
http://fachschaft.physik.ruhr-…entdeckungen/defrag.shtml

@Carnica - Du hast es gewollt - jetzt mußt Du auch da durch ;D ...
Eine Flash-Zelle ist ein Transistor (FET- FeldEffektTransistor um genau zu sein), Ein solcher Transistor hat drei Anschlüsse Gate (oder Tor - fungiert als Eingang), Source (Quelle - von da kommen die Elektronen) und Drain (Abfluß - da wandern die Elektronen hin). Das Gate ist von Source und Drain isoliert (Diese Isolierschicht spielt beim Flash eine besondere Rolle - dazu aber später). Falls jetzt am Gate eine Spannung anliegt, beginnt die Wanderung hinter der Isolierschicht von Source nach Drain. Wenn nicht, ist Schicht im Schacht und eine virtuelle Staumauer zwischen Source und Drain verhindert, das irgendwelche Elektronen wandern. Soweit zum Transistor. Bei einer Flash-Zelle ist nun die Besonderheit, daß das Gate quasi in der Luft hängt und nirgends angeschlossen ist. Dort sind aber trotzdem Ladungen (Elektronen) drauf, falls eine Eins gespeichert ist. In dem Fall fließt ein Fluß aus Elektronen (Staumauer ist weg) von Source nach Drain. Dieser Strom wird gemessen und die Info an den PDA weitergegeben. Das ist der Lese-Modus. Der macht auch keinen Streß. Das kannst Du machen, so oft Du willst, ohne das dabei irgendwas irgendwann kaputtgeht.
Soweit alles klar, oder?
Nun zum Schreiben. Da kommt das Gate mit der Isolierschicht wieder ins Spiel. Auf dem Gate können sich ja Elektronen versammeln.
Wie kommen die aber dahin? Ganz einfach, durch die Isolierschicht. Dazu wird eine Positive Hochspannung an Drain angelegt und es gibt sozusagen einen kleinen Miniblitz, der durch die Isolierschicht funkt. Dabei wird das Gate aufgeladen und dem stehen dann praktisch die Haare zu Berge - Steht also unter Spannung. Leider ist der Nebeneffekt das durch die Blitze die Isolierschicht mit der Zeit löchrig wie ein Käse wird und irgendwann keine Isolierschicht mehr da ist - dann war's das mit dem Speichern von Informationen für diese Zelle.
Die ersten solchen Speicher (waren oder sind die EPROM's - Electrically Programmable Read Only Memory oder EEPROM's - Electrically Eraseable Programmable Read Only Memory) beides war zu lang, deshalb gibt's noch ne Kurzform - E². Am Anfang konnte man die Zellen nur etwa 100 Mal beschreiben - heute sind wir z.Teil bei einer Million Mal, d.h. die Blitze sind immer harmloser geworden.
So - noch Fragen?

Ach so - noch etwas - Da ja die Elektronen auf dem Gate sozusagen eingesperrt sind, hält sich die Information, ob nun der Flash mit Spannung versorgt wird oder nicht. Es passiert aber doch ab und an, das das eine oder andere Elektron abhaut, also flüchtet, deshalb geht die Information irgendwann verloren (10-100) Jahre sind so übliche Angaben.

Wie ich schon geschrieben habe, bin ich kein Experte, deshalb...
[Haue - Prevention Statement] @alle Experten,
bitte verzeiht mir die Vergleiche und, das ich nicht auf Besonderheiten / Varianten (NAND vs. NOR, Enhancement vs. Depletion, Löcher, PN/NP Übergänge, Dotierungen, Wannen) und andere Details eingegangen bin.
GNADE :angst Ich wollte es doch nur so verständlich wie möglich formulieren.

Hi R17158,
"bin ich gerne durchgegangen ;D "
Haste super erklärt!
Jetzt weiß ich, daß ich mein 128MB SD ganz schön
"gelöchert" hab.

Ich interesiere mich halt für so sachen wie...
wie macht der Brenner die Nullen und einsen auf ne CD
wieso kann man ne RW wieder löschen u.s.w
was ich bis heute noch nicht weiß ist, wieso kann man nen
Eprom mit UV-Licht löschen....

Aber danke noch.... ...wieder was gelernt.

Gruß
Carnica

Zitat

Haste super erklärt!

Freut mich - ist in Wahrheit noch tausendmal komplizierter.

Zitat

was ich bis heute noch nicht weiß ist, wieso kann man nen
Eprom mit UV-Licht löschen....

Ohh-Ha - Laß es mich so formulieren.. Du kennst doch bestimmt das "Schaumriff Entenscheiß" und den Spruch "Scott me up, Beamy" So ähnlich kann man sich das auch erklären. Das UV-Licht stellt sozusagen eine Beam-Brücke zu den Elektronen her, sozusagen ein Fluchtweg für die Elektronen-"Häftlinge".

Naja zu Deinen Erklärungen:
"in der Kürze liegt die Würze"

Was das "beamen" betrifft.
Hat bestimmt was mit Ionen zu tun oder?

Kennst du eigentlich ein Forum wo nur über soon Zeug
gequatscht wird

Carnica

EDIT:
Äh... Zum Thema in diesem Thread.
...dann ist Pocketmechanic wohl von den Kartenherstellern gesponsort?? (weil Kartenlochprogramm)

Zitat

Original von Carnica
Was das "beamen" betrifft.
Hat bestimmt was mit Ionen zu tun oder?

Wenn Du's ganz genau wissen willst, mußt Du Halbleiterei studieren. Die suchen glaub ich noch Leute.

Zitat

Kennst du eigentlich ein Forum wo nur über soon Zeug
gequatscht wird

ist mir nicht bekannt.

Zitat

Äh... Zum Thema in diesem Thread.
...dann ist Pocketmechanic wohl von den Kartenherstellern gesponsort?? (weil Kartenlochprogramm)

Äh...
Pocketmechanic ist ja nicht von "Macroschrott". Ich kann mir also vorstellen (sicher bin ich mir natürlich nicht), das deren Defrag-Routine etwas intelligenter gelöst ist, und mit 10-100 Mal Schreiben pro Defragmentierung auskommt.